（原标题：台媒：DRAM巨头，HBM有变） 公众号牢记加星标，第一时辰看推送不会错过。 开首：内容编译自digitimes。 据digitimes报谈，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这标明在正在进行的 DRAM 再行想象使命中，三星电子将继承愈加严慎的推出款式。 该公司泉源经营在 2025 年下半年开动量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM 的 12 英寸 HBM4 模块。不外，据韩国出书物Deal Site报谈，三星意料打算在 2025 年第

（原标题：DRAM，三个标的） 公众号铭记加星标??，第一时刻看推送不会错过。 来源：实质来自Yole，谢谢。 。 受关税担忧影响，内存市集范围有望在 2025 年颐养第二次创下 2000 亿好意思元记载 2024年着手，数据中心AI旁观责任负载需求激增，带动行业迎来新一轮增长势头。这标记着行业从2022-2023年严重的周期性低迷中强盛反弹，此前的低迷曾激发DRAM和NAND行业历史性的运营赔本。AI首先的需求激发了通盘这个词存储器行业的爆炸式增长，并股东高带宽存储器（HBM）占据主导地位，

（原标题：卖4亿的光刻机，DRAM大厂推迟引进） 若是您但愿不错经常碰头，迎接标星保藏哦~ 开始：实质来自 Source：编译自thebell 三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”招引。这是由于天文数字般的招引价钱和 DRAM 架构行将发生的变化。 三星电子和SK海力士谋划在2030年后量产3D DRAM，3D DRAM曝光工艺谋划取舍氟化氩（ArF）招引，而非EUV招引。因此，High NA EUV招引的引入例